Биография:

Родился 25 сентября 1937 года в г. Одессе.

В 1944 г. вместе с родителями переехал в Саратов. В 1954 г. окончил школу №19 с золотой медалью.

В 1959 г. с красным дипломом окончил физический факультет Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского.

После университета был направлен по распределению в Сибирское отделение Академии наук СССР. В 1960 г. поступил на работу в Институт радиофизики и электроники СО АН в Новосибирске. Здесь в 1964 г. защитил кандидатскую диссертацию по теме «Адиабатическое приближение в квантовой механике».

С 1965 г. работает в Институте физики полупроводников Сибирского отделения РАН, где в 1972 г. защитил докторскую диссертацию по теме приповерхностных электронных процессов. Имеет ученое звание профессора.

В 2003 году избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук. В 2011 г. избран действительным членом РАН.

Член редколлегии журналов «Physics of Low-Dimensional Structures» и «Наноструктуры».

Заслуженный деятель науки РФ (1999).

Специалист в области физики твердого тела, а также атомных и молекулярных столкновений, физики наноструктур.

Источник: ru.wikipedia.org